SENTECH二维材料刻蚀的优势：

用于敏感衬底的PEALD：

真远程等离子体源能够在低温<100°C下高均匀度和高保形性地覆盖敏感衬底和膜层，在样品表面提供高通量的反应性气体，而不受紫外线辐射或离子轰击。

用于工艺研发和改善的实时监测：

ALD实时监视仪RTM的原位诊断实现了单一ALD循环的超高分辨率。优点是确认ALD范围，减少处理时间和总生产成本。采用椭偏光谱、QCM和QMS进行原位诊断，也是我们原子层沉积设备的优点。

简易的腔体清洗：

定期反应腔体清洗对于稳定和可重复的原子层沉积工艺是的。借助于用于清洗原子层沉积系统的升降装置，可以容易地打开反应腔体。

集成手套箱：

SENTECH原子层沉积设备与各种供应商的手套箱兼容。

多腔集成：

原子层沉积设备可作为SENTECH多腔系统的一个模块。我们的原子层沉积设备可以与SENTECH PECVD和蚀刻设备结合用于工业应用。可选的多腔系统也具备片盒到片盒装片的特点。

SENTECH二维材料刻蚀实现了热ALD和等离子体增强ALD操作。ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行性。利用ALD、PECVD和ICPECVD，SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉积到数微米的薄膜沉积。

SENTECH ALD设备实现了热ALD和等离子体增强ALD膜交替沉积多层结构。热ALD和等离子体增强ALD可在同一个反应腔体中用快门来切换。

SENTECH提供了前沿的快速原位监测技术，实时监测和广泛范围的光谱椭偏仪可逐层监测薄膜生长。
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